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    當前位置：材料測試 ?  成分分析 ? 

    靜態(tài)二次離子質譜（TOF-SIMS）

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    靜態(tài)二次離子質譜（TOF-SIMS）

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    項目介紹

    二次離子質譜SIMS是一種檢測固體表面及近表面的成分信息的技術，幾乎可以分析任何在真空中穩(wěn)定的固體。它不僅可以進行全元素（從H到U）及同位素分析，同時還可以準確地識別原子團和官能團，并對固體樣品進行微區(qū)分析成像和深度動態(tài)分析。

    SIMS技術對材料表面、界面的元素、分子結構進行分析，分析深度可達到表面1-3nm，檢出限可達ppm級別。它可以對樣品進行成像和成分定性鑒定，還可以實現三維成像、二維成像、質譜分析等。

    當前，SIMS已被廣泛應用于各種科學領域，包括半導體、生物、醫(yī)藥、化學、材料以及天體物理等研究領域。

    樣品要求

    1. 一般要求樣品無磁性，弱磁性樣品可以測試，無法測試強磁性樣品；

    2. 粉末樣品至少為10mg；塊體樣品的尺寸小于1cm x 1cm x0. 8cm，最小幾毫米；

    3. 若需獲取3D圖，需在選項中選擇，默認情況下不提供；

    4. 深度分析的具體測試費用與深度、離子有關；

    5. 如果測試需要與之前的條件相同，請務必提供之前的測試條件；

    6. 正負離子測試是分開進行的，測試時間獨立計算；

    7. 務必在樣品非測試面上標記“×”，僅在測試單上描述是不夠的；

    8. 含鐵、鈷、鎳、錳、釕等磁性元素的樣品定義為磁性樣品；不能被強磁鐵吸引的樣品為弱磁樣品，能被強磁鐵吸引的樣品為強磁樣品；請仔細檢查樣品磁性，因隱瞞樣品信息導致儀器損壞，需要您承擔全部賠償責任；

    注：深度分析測試時間為1500元/樣（1小時內），超過1小時的部分將額外收取1000元/小時的費用。不同離子、不同樣品的測試時間均不疊加計算。

    項目案例

    ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 56151?56160：F8IC深度分析

    TOF-SIMS三維成像（3D圖）

    TOF-SIMS二維成像（Mapping）

    TOF-SIMS質譜圖

    常見問題
    1、離子后面帶的正或者負符號，為什么都是正一價或負一價？

    離子帶正或負的符號只是代表正離子或者負離子，與價態(tài)無關。

    2、在TOF-SIMS測試中，如果需要同時測試正負離子，那么需要分別使用不同的樣品進行測試嗎？可以在同一個樣品上選取不同的區(qū)域進行測試嗎？

    如果是測試質譜和二維成像，因為沒有損傷，可以選取同一個位置進行測試，且采集完正離子后可以繼續(xù)采集負離子信息；如果是做深度分析，則可以在同一個樣品上選取不同的區(qū)域，分別測試正離子和負離子。

    3、TOF-SIMS可以測離子含量嗎？

    不能。TOF-SIMS靜態(tài)二次離子質譜測試離子強度，為定性測試，不能定量。

    4、TOF-SIMS中，質譜測試濺射厚度是多深？

    一般濺射厚度為2到3層原子，小于1nm。

    靜態(tài)二次離子質譜（TOF-SIMS）

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